Wolf Automation MX
SEMIKRON SKM 152 GA 123 98365 MODULO
SEMIKRON SKM 152 GA 123 98365 MODULO
es un módulo de transistores IGBT diseñado para aplicaciones de potencia elevada, como inversores, variadores de frecuencia, control de motores o sistemas de conversión de energía. Está preparado para manejar tensiones y corrientes altas, con eficiencia térmica y robustez mecánica adecuadas para ambientes industriales.
Cuenta con una tensión máxima entre colector-emisor de 1200 V, lo que le permite soportar altos voltajes en su circuito de potencia. En cuanto a corriente continua del colector (Ic), el módulo puede manejar valores del orden de 150 A, permitiendo grandes demandas de corriente en operación normal. Se menciona también un dato de corriente de pulso superior (Icp), útil para cargas transitorias, aunque el valor exacto depende del ciclo de trabajo, duración del pulso y temperatura de unión.
El módulo soporta temperaturas de unión bastante amplias, llegando hasta aproximadamente +150 °C durante operación bajo condiciones ideales de refrigeración, mientras que la temperatura de almacenamiento oscila entre −40 °C y +125 °C.
En la puerta (gate), la tensión máxima entre gate y emisor (VGES) es ±20 V, lo que impone precauciones en el circuito de driver para no exceder ese límite. Disipa potencia a través de su carcasa y se debe montar asegurando buen contacto térmico para evitar el sobrecalentamiento.
Usualmente el módulo tiene características tales como baja caída de voltaje en estado conduciendo (VCE(sat)), buena capacidad de resistencia a pulsos y sobrecorrientes temporales, y capacitancias de entrada / salida (gate-emitter, gate-collector) optimizadas para permitir conmutaciones rápidas con mínimos parásitos.
También tiene especificaciones de montaje, por ejemplo en cuanto al par de apriete de sus tornillos para fijación térmica / mecánica, para asegurar tanto buen contacto como evitar tensiones mecánicas que dañen el encapsulado.
EQUIPO USADO FUNCIONANDO
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Descripción
SEMIKRON SKM 152 GA 123 98365 MODULO
es un módulo de transistores IGBT diseñado para aplicaciones de potencia elevada, como inversores, variadores de frecuencia, control de motores o sistemas de conversión de energía. Está preparado para manejar tensiones y corrientes altas, con eficiencia térmica y robustez mecánica adecuadas para ambientes industriales.
Cuenta con una tensión máxima entre colector-emisor de 1200 V, lo que le permite soportar altos voltajes en su circuito de potencia. En cuanto a corriente continua del colector (Ic), el módulo puede manejar valores del orden de 150 A, permitiendo grandes demandas de corriente en operación normal. Se menciona también un dato de corriente de pulso superior (Icp), útil para cargas transitorias, aunque el valor exacto depende del ciclo de trabajo, duración del pulso y temperatura de unión.
El módulo soporta temperaturas de unión bastante amplias, llegando hasta aproximadamente +150 °C durante operación bajo condiciones ideales de refrigeración, mientras que la temperatura de almacenamiento oscila entre −40 °C y +125 °C.
En la puerta (gate), la tensión máxima entre gate y emisor (VGES) es ±20 V, lo que impone precauciones en el circuito de driver para no exceder ese límite. Disipa potencia a través de su carcasa y se debe montar asegurando buen contacto térmico para evitar el sobrecalentamiento.
Usualmente el módulo tiene características tales como baja caída de voltaje en estado conduciendo (VCE(sat)), buena capacidad de resistencia a pulsos y sobrecorrientes temporales, y capacitancias de entrada / salida (gate-emitter, gate-collector) optimizadas para permitir conmutaciones rápidas con mínimos parásitos.
También tiene especificaciones de montaje, por ejemplo en cuanto al par de apriete de sus tornillos para fijación térmica / mecánica, para asegurar tanto buen contacto como evitar tensiones mecánicas que dañen el encapsulado.
EQUIPO USADO FUNCIONANDO





